信息时代科技高速发展，随着计算机技术、互联网以及各种新型电子产品的日益更新，新型存储技术不断涌现，阻变效应在下一代存储技术中展示了巨大潜力。阻变效应即材料的电阻状态在电场作用下发生可逆改变，利用这种效应制得的阻变存储器，具有结构简单、读写速度快、存储密度高、不易被干扰、功耗低等优势。本项目将基于铁电薄膜的阻变效应研发性能优越可靠的铁电阻变存储器件，推动新型非挥发性存储器的发展，发展自主知识产权。